| 型号： | NSS12501UW3T2G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS NPN 12V 7A 3-WDFN |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| NSS12501UW3T2G PDF |  |
| 产品变化通告 | Wire Bond Change 07/Sept/2011 |
| 产品目录绘图 | Transistor 3-WDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 120mV @ 400mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 2A，2V |
| 功率 - 最大 | 875mW |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 3-WDFN（2x2） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NSS12501UW3T2GOSTR |